مبانی نیمه هادی
مبانی نیمه هادی
پذیرندهها دارای بار منفی هستند.- تعداد زیادی حفره، وجود دارد.
- تعداد کمی الکترون آزاد نسبت به تعداد حفره، وجود دارد.
- نتیجهی دوپینگ خواهد بود:
- پذیرندهها دارای بار منفی
- حفرهها با بار مثبت
- نتیجهی تامین انرژی، خواهدبود:
- حفرهها با بار مثبت
- الکترونهای آزاد با بار منفی
و هردو نوع P و N، درحالتکلی، بهتنهایی از نظر الکتریکی، خنثی میباشند.
آنتیموان (Sb) و بور (B)، دو مورد از متداولترین عوامل دوپینگ میباشند؛ زیرا در مقایسه با انواع دیگر مواد، بیشتر در دسترس میباشند. آنها، همچنین بهعنوان “متالوئید”، طبقهبندی میشوند. با اینحال، جدول تناوبی، تعداد دیگری عناصر شیمیایی مختلف را درکنار هم قرار میدهد؛ که با داشتن سه یا پنج الکترون در بیرونیترین لایهی مداری خود، آنها را بهعنوان یک مادهی دوپینگ، مناسب میکند.
این عناصر شیمیایی دیگر، همچنین میتوانند بهعنوان عوامل دوپینگ در مواد پایهی سیلیکون (Si) یا ژرمانیوم (Ge) برای تولید انواع مختلف مواد پایهی نیمههادی برای استفاده در قطعات نیمههادی الکترونیکی، ریزپردازنده و سلولهای خورشیدی، استفاده شوند. این مواد نیمههای اضافهشونده در زیر آورده شدهاست.
جدول تناوبی نیمههادیها
در مقاله بعدی در ارتباط با نیمههادیها و دیودها به پیوستن دو مادهی پایهی نیمههادی، مواد نوع P و نوع N، برای ایجاد اتصال PN که میتواند برای تولید دیودها استفاده شود میپردازیم.
جستجو
برای جستجو، کلمه کلیدی مورد نظر خود را بنویسید.
